据DigiTimes报道，下一代HBM4显存的设计将带来进一步的飞跃，有望升级到2048bit位宽。
近年来伴随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）对于服务器产品的需求和性能要求与日俱增，对于高性能HBM显存的需求也在迅速增长。SK海力士和美光此前已经发布了最新的HBM3E和HBM3 Gen2显存产品，均带来了不错的性能提升。而据DigiTimes报道，下一代HBM4显存的设计将带来进一步的飞跃。
HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM的高带宽存储器，自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024bit 位宽。而最新的爆料表明，HBM4显存有望升级到2048bit位宽，这也是HBM内存技术推出后最大的变化。不过目前尚不清楚HBM4的引脚速度是否能保持9GB/s的水平，如果能做到相同的速度，意味着显存带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，性能提升会相当明显。
例如目前最新的英伟达H100计算卡，使用了六颗HBM3/HBM3E芯片，每个对应的接口为1024位，也就是共6144位。如果单个HBM芯片的接口位宽增加，不论是性能进一步提升还是厂商选择减配以降低成本都是可能的选项。此外，相关报告称三星和SK海力士现在都很有信心，认为HBM4能保持原有的产量，不会因为技术迭代导致产能受影响。
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