第一页
最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储技术一定感觉到既有近忧，又有远虑，因为新型存储技术PRAM(相变存储器)、MRAM(磁性随机存储器)及FRAM(铁电储存器)表现活跃，大有取而代之的势头。不过，虽然上述新兴技术具有很多优点，并有各自不同的取代对象，但是，它们要经历大规模商用的考验。
新兴存储技术发展快
与目前主流的存储技术相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重复擦写次数多等特点，它们在近两年取得了令人兴奋的发展，存储容量不断增加，市场也在逐步接受它们。
在FRAM方面，Ramtron公司业务拓展副总裁Lee Brown向《中国电子报》记者表示，FRAM具有三个独特的优点：无延迟(No Delay)读/写，FRAM以总线速度写入数据，在掉电情况下不需要复杂的数据备份系统；几乎具有无限的耐用性，FRAM能够无损耗地提供无限次数的数据收集；低功耗，FRAM器件属于RAM，并且不需要电荷泵，所以写入周期的功耗较FLASH和EEPROM等浮动栅器件要低几个数量级。
在MRAM方面，飞思卡尔公司相关负责人告诉《中国电子报》记者，MRAM采用磁性材料，同时结合传统的硅电路，使单个高耐用性设备既具备SRAM的速度，又拥有闪存的非易失性。这位负责人兴奋地表示：“MRAM是唯一具备所有主要优良属性的存储器：速度、非易失性、无限持久性。该技术的主要目标之一是，将MRAM作为灵活的嵌入式存储器集成到设备中，在我们的逻辑设备中实现增强功能。与其他非易失性存储器技术相比，MRAM更容易集成到我们现有的逻辑工艺中，因为它位于较高的金属层，不会影响底层晶体管。”
在PRAM方面，2007年6月，英特尔公司推出了128Mb的PRAM样片， 并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。英特尔公司首席技术官Justin Rattner表示，该器件的“写”性能比目前的NOR闪存提高了六倍，且更具“鲁棒性”，能保证至少100万次的写循环。
未完，请翻页
网友评论