长久以来，人们一直都在寻找磁存储的替代品。闪存的横空出世在某种程度上解决了磁存储不够灵活的问题，但是随之而来的问题是，闪存（Flash Memory）的读写性能却无法与磁盘相比，于是人们在闪存的基础上提出了“快速闪存”的概念——读写速度比当前闪存快10倍的一种存储技术
闪存的代替者即将登场
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长久以来，人们一直都在寻找磁存储的替代品。闪存的横空出世在某种程度上解决了磁存储不够灵活的问题，但是随之而来的问题是，闪存（Flash Memory）的读写性能却无法与磁盘相比，于是人们在闪存的基础上提出了“快速闪存”的概念——读写速度比当前闪存快10倍的一种存储技术。 平台，这对于老显卡用户只能望梅止渴。
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比闪存快10倍的PCM |
| 什么是“快速闪存” |
| “快速闪存”技术本来的名字叫PCM（Phase Change Memory，相变存储）技术，它是目前最有希望替代闪存（Flash Memory）的一种存储技术。它是Intel定义的下一代高速存储技术，与现在的闪存技术相比，PCM有着速度快的优点。比如拷贝一部4.3GB的720p的高清电影，如果用现在的闪存的话，理论上20MB/s的速度进行写入，需要4分钟左右。如果换成了采用PCM技术的“快速闪存”，将只要22秒就能完成。当然，前提是需要有更快的接口支持，如USB 3.0接口。 |
说到“快速闪存”，它的“始祖”早在1950年就已经出现。当时一些科学家发现一个很有意思的现象，某些金属在温度达到一定的情况下，内部的结构就会发生改变。在加热到特定的温度之后还会继续保留金属的特性，但是内部的晶体结构（也就是晶格）会发生一定的改变。一些异想天开的人认为，这或许是一件好事，这样可以打造记忆金属（当然现在看来记忆金属的原理并非如此）。时间进入1960年前后，一些金属行业的记者开始报道这些金属的特性，材料专家证明了这种操作是可逆的。值得一提的是当时最著名的学者是斯坦福奥弗辛斯基，他发现一些硫化物都具有这项“本领”。随后的十年里，人们开始关注这种技术，由于这些材料具有非易失性的特点，所以一些计算机行业的专家认为这些材料可以使用在计算机领域，用来做非易失性记录。
到了1970年的9月，开始研究这种技术最著名的人士就是Intel创始人之一的戈登●摩尔，它在《电子学出版物》杂志上开始以连载的形式介绍这项技术，随后这项技术也开始逐渐受到了更多特殊行业的重视——因为这种技术使用的材料更便宜，而且性能更好，所以更多企业也希望这项技术能摆脱理论层次，开始走向实际商品化。
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