双芯OC版P45全面解剖-2
DDR3时代，除了CPU超频外，内存是否能工作在更高的频率是人们开始关注的地方。DDR3三大优势中，更高的频率是DDR2能存所无法比拟之处。而采用100nm的工艺，使拥有更低的工作电压（1.5v），更优秀的高频特性。本次双芯超频技术的加入，一方面优化内存高频信号线路设计，另一方面，提升内存电压加压范围，最高可以加0.775V。并且将精确度进一步调整致0.005V。
针对Intel平台，在LGA775时代，北桥依然承担着重要的任务——FSB及内存控制等。超频离不开对FSB（Front Side Bus）的调整，增加北桥的工作电压有利于进一步加强其在高频状态下的稳定性。在双芯超频技术的引入后，Chipset（北桥）电压电高可以加0.21V，精度为0.03V。
●精准性“判断门”的引入(GTL Ref)
这还得从芯片的工作原理上说起。看似复杂的晶体管电路其实是很单纯的事物，它只有两种状态，那就是“通”或“断”，也可以说成是“充电”和“放电”。计算机指令语言将“通”描述为1，“断”描述为0，一切信息都可以由不同时间长度的“通”和“断”交替组合在一起来表达或储存。由此就构成了如“0110101001”这样的二进制世界。
芯片内个别有瑕疵的晶体管会发生电子溢出的现象，且此现象会随着超频的幅度而加剧，这些迁移的电子可能会导致它周围此时不该充电的晶体管带电，造成数据混乱。因此处理器指令集在识别二进制信号的过程中需要一个“开”的电压标准，也就是说晶体管中存在多高的电压才算1？这就是CPU VTT电压，也可以认为是信号强度电压，一般只有专为超频设计的旗舰级主板才会开放对这个参数的调节。
一次充放电过程的电压走势不会是一个完美的方波
由于电路接通时产生的磁场造成了不可能完全消除的杂讯（电压波动），一次充放电过程的电压走势不会是一个完美的方波，此时GTL Reference就起到了决定性作用。GTL Reference就是信号识别的电压区间。如上图所示，在一次充放电的电压走势中，总有一个区间没有波峰和波谷，即Noise Margin（杂讯空白）。将此区间确立为参考电压值可以让芯片对0、1做出准确判断。
无论是处理器还是北桥芯片，超频时都会增加杂讯的强度，此时的有效手段就是适当降低GTL Reference在信号电压中所处的高度，尽可能地让这个区域远离杂讯。如若过度降低也会适得其反，GTL Reference可能仍处于杂讯范围内。
【双芯发力，风冷轻松超频72%】
利用双芯超频技术最直接的用途是提升超频性能，以下是采用了双芯超频技术的战旗C.P45 Twin成绩。
主要配置
CPU：Intel Pentium E5200
Cooling：Air cooling
MB：战旗C.P45 Twin 超频版
RAM：Kingston DDR3 1333MHz
Graphics：iGame260+
HD：Segate 500G
OS：Windows Vista Sp2
Tools：CPUZ 1.51
超频成绩截图，从官方公布的成绩上看，利于配备有"X双芯"超频技术的战旗C.P45 Twin主板成功让E5200在风冷条件下超频4.3GHz,超频幅度达到72%。
在谈到"X双芯"超频技术的未来的时候，七彩虹官方并没有透露透更多的细节，不过提到战旗超频版系列将会应用该技术用于进一步加强超频特性。而其它主板是否也会加入，官方人员并没有明确给出答复。关于这项技术的更多内容，后续我们将为大家跟踪报导。
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