基于Lynnfield核心的Core i5/i7处理器上市已经将近一个月，在这段时间里Core i5/i7处理器持续受到市场的关注。作为Core i5/i7处理器的目前唯一的芯片组P55亦受到市场的热捧，市场上涌现了多款基于P55芯片组的主板。而今天，我们评测室为大家五款中高端的P55主板的分析。
微星P55-80GD供电设计
P55-80GD采用超高频供电电路设计，采用uPi的uP6218数字电源管理芯片，支持8+2相供电。根据微星官方的资料，当CPU功耗低时是供电电路会采用2相供电，若是CPU功耗提升则会切换到8相，反之亦可。从下图中我们可以看见，P55-80GD的CPU供电电路上有10块QFN封装的MOSFET，大的为8相供电时使用，小的为2相供电时使用。
如下图所示，P55-80UD上采用的是瑞萨出品的QFN封装的MOSFET，微星称其为DrMOS，这种MOSFET把上行MOSFET、下行MOSFET与驱动器都整合在一个芯片上。和一般人想象的相反，在超高频供电电路中驱动功率MOSFET从来不是容易的事情。功率MOSFET的输入电容达到NF（纳法）级别，因此要高速开关、需要一个强大的驱动，驱动芯片瞬间电流往往要达到安培级。如果是独立的驱动芯片封装会导致驱动线过长，结果就是寄生电感变大，从而影响了驱动速度，甚至还需要消振电阻串联在线路中防止振荡损坏MOSFET管栅极。而电阻的加入进一步加大了驱动回路的阻抗，进一步降低了MOSFET的开关速度。而驱动芯片和MOSFET集成到一个封装内以后，相互之间的连线大大缩短，寄生电感大大减少，从而不需要消振电阻。驱动回路的阻抗大大下降，从而极大的提高了开关速度 。
除了在CPU供电电路上使用DrMOS外，内存、PCH的供电亦是采用DrMOS。
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