基于Lynnfield核心的Core i5/i7处理器上市已经将近一个月，在这段时间里Core i5/i7处理器持续受到市场的关注。作为Core i5/i7处理器的目前唯一的芯片组P55亦受到市场的热捧，市场上涌现了多款基于P55芯片组的主板。而今天，我们评测室为大家五款中高端的P55主板的分析。
Tpower I55供电设计
供电电路是映泰Tpower I55的特色之一。Tpower I55采用的是uPi出品的uP6208电源管理芯片，最高支持12相供电，符合Intel VR11/10标准，开关频率为100kHz至1.5MHz。从电源管理芯片可知，Tpower I55的CPU供电电路是属于超高频供电电路，若要了解超高频供电电路可以看《告别数字供电 凝视P55主板设计演变》。
Tpower I55在CPU供电电路上采用了IR（International Rectifier，国际整流器公司）出品的DirectFET封装的MOSFET，映泰是唯一一家采用是DirectFET封装的MOSFET的主板厂商。看过《告别数字供电 凝视P55主板设计演变》的读者，或许会对这DirectFET封装的MOSFET留有印象，而现在映泰为DirectFET封装的MOSFET起了一个蛮不错的名字——“量子芯”。
与SO-8封装的MOSEFET相比，DirectFET封装的MOSFET提供了更好的散热能力。SO-8封装的MOSEFET由于采用的塑料封装，外壳的散热能力并不佳，热量主要依靠MOSFET的漏极传递到PCB上，依靠PCB上的铜冗余进行散热。但是现在PCB温度已经很高，依靠PCB散热不并能获得良好效果。DirectFET封装的MOSFET则不同，实现了双面冷却。DirectFET技术将裸片与可焊接的金属片以及专用的环氧钝化(epoxy passivation)系统黏合在一起，使裸片表面的栅极和源极焊盘可直接焊接到电路板上。该裸片邦定在一个铜夹片中，将原来位于裸片背面的漏极接触点转移到裸片的正面，与栅极和源极连接点在同一平面上。这样MOSFET的散热效能就得到有效提高，尤其是外加了散热片的时候。在DirectFET封装的MOSFET与硅片串接的阻性构件只有漏极夹片，裸片黏合材料阻抗仅为100μΩ，使源-漏极间的导通电阻(Rds(on))小于2 mΩ。而采用标准线邦定(wirebonded)的SO-8不包括裸片时的封装阻抗为1.6 mΩ，根本不可能得到小于2 mΩ的Rds(on)。
DirectFET封装的MOSFET电感也大幅度降低。由于去除了线邦定并简化了电流路径，电感量从采用SO-8封装时的2nH降低到采用DirectFET技术时的0.5nH。较低的封装电感可以实现在提高工作频率的同时提高转换效率。而且低阻抗、低电感的实现，亦有助于减少电磁干扰，改善滤波效果。
DirectFET封装的MOSFET剖面图
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