仍是技术领导者 三星第一尔必达第二
尔必达成立于1999年，由NEC和日立的存储芯片部门合并而成。富士通当年宣布放弃这一业务，而东芝则于2001年宣布撤出这一业务，专注于NAND闪存业务。目前尔必达为全球第三大DRAM制造商，尔必达手握传统DRAM市场12％的占有率，在移动型DRAM市场中的份额也达到17%。
去年，尔必达市值下降了62%，而2010年的跌幅则为37%。而根据IHS iSuppli发布的去年第三季度数据，三星电子在DRAM市场的份额为45%，而海力士和尔必达分别为22%和12%。
在传出尔必达即将申请破产前后，日本信用评级机构已经将尔必达的信用评级从BBB下调至BBB-，为最低的可投资评级。
DRAMeXchange认为，尔必达的状况与当年奇梦达倒闭情况完全不同，奇梦达在技术方面因沟槽式技术面临研发瓶颈，让奇梦达制程落后其他竞争对手，最终走上申请破产保护一途。
而尔必达在标准型DRAM方面，30纳米制程已经导入量产阶段，25纳米更将于今年第2季进入试产；在移动型DRAM方面已切入30纳米，技术能力逼近一线韩系大厂。
实际上我们大致回顾一下尔必达过去近一年内的几次重要的动作就可以看出该公司在技术研发方面依然处于先列。去年5月他们就宣布开发出25nm制程的2Gb密度DDR3芯片并于8月开始出货，该芯片支持DDR3-1866规格，可以在1.35V电压下运行于DDR3L-1600模式，并首先应用于PC和数据中心服务器市场。
而在去年6月，尔必达更是宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gb密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数材料，栅电极采用金属材料。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管的新能。虽然英特尔早已将HKMG技术应用于其处理器芯片中，但是对于DRAM电路结构的复杂性来说，尔必达能够成功应用HKMG技术难能可贵。
尔必达是业内首家将HKMG技术应用于DRAM芯片制造的厂商
在去年9月，尔必达更是宣布已经开发出基于25nm节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒，同样可以达到1866MHz的频率以及1.35V的运行电压，相关产品也于去年年底到今年年初出货。
我们回过头来看看三星，三星在过去一段时间里一直主打“Planet First”这一概念并重点宣传Green DDR3系列产品。三星在去年的主旋律也依然是30nm级产品，并于9月全面启动20nm级生产线，因此在时间点上尔必达与三星处于同一起跑线。
三星给我们印象最深刻的还是在企业级服务器用内存产品，他们所采用的3D TSV封装技术以及在DDR4规范方面的跟进研发始终预示着三星依然是DRAM行业的主导者。虽然这是显而易见的，但是尔必达也绝非跟随者，不求快但求稳依然是日本企业的传统文化。
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