来自英国南安普顿大学的工程师们开发出了一种新技术，可将移动设备通用芯片的运行速度提高一倍，达到110GHz。 通过加入氟元素原料，科学家们可以让半导体中的电子运行得更快，从而成功地将双极型晶体管的速度提高到了惊人的110GHz，是此前最好记录的两倍。
来自英国南安普顿大学的工程师们开发出了一种新技术，可将移动设备通用芯片的运行速度提高一倍，达到110GHz。
通过加入氟元素原料，科学家们可以让半导体中的电子运行得更快，从而成功地将双极型晶体管的速度提高到了惊人的110GHz，是此前最好记录的两倍。
Peter Ashburn教授表示，在速度翻番的同时，芯片成本增加得并不多，因此手机、无线设备等只需增加些许额外投入即可获得更好的性能。
在此之前，人们普遍认为硅锗是提高芯片速度的最佳新材料，而氟的出现提供了新的选择，Ashburn也表示正在进一步挖掘其潜力。
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