来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（Hybrid Silicon Laser）。这项技术突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。
美国加州圣克拉拉，2006年9月18日 — 来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（Hybrid Silicon Laser）。这项技术突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。
研究人员已经能够将磷化铟（Indium Phosphide）的发光属性和硅的光路由能力整合到单一混合芯片中。当给磷化铟施加电压的时候，光进入硅片的波导（waveguide），产生持续的激光束，这种激光束可驱动其他的硅光子器件。这种基于硅片的激光技术可使光子学更广泛地应用于计算机中，因为采用大规模硅基制造技术能够大幅度降低成本。
“这一技术使未来的计算机内部可采用低成本、万亿比特(TB)量级的光学‘数据通路’（data pipes），并使高性能计算应用迎来新时代，”英特尔公司光子学技术实验室总监马里奥•潘尼西亚（Mario Paniccia）指出。“尽管离商品化仍有很长距离，但我们相信数十个、甚至数百个混合硅激光器会和其它硅光子学部件一起，被集成到单一硅基芯片上去。”
“我们和英特尔公司的研究项目，充分体现了产业和学术界可以通过合作来推动科学技术的发展，”美国加州大学圣芭芭拉分校电气和计算机工程学教授约翰•鲍尔斯（John
Bowers）指出，“通过结合美国加州大学圣芭芭拉分校在磷化铟方面的专业能力和英特尔公司在硅光子方面的专业能力，我们已研发出基于键合方法的一种新结构激光器，它能够用于晶圆级、半晶圆级和芯片级的应用，同时这也是将大规模的光学器件集成到一个硅平台上的一种可能的解决方案。这是开始低成本大批量生产高集成度硅光子芯片的标志。”
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