Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
Intel美光合资企业早在去年上半年就已经开始出货25nm工艺NAND闪存，但至今我们还很少能够在固态硬盘中看到新制程闪存的身影。直到OCZ开始在自己的SSD中抢先应用25nm闪存，人们才发现了其中的奥妙，原来从3xnm升级到25nm带来的并不全都是好消息。
除了我们上周已经报道过的25nm闪存寿命缩短，导致硬盘需要预留更多冗余空间，用户可用容量缩水问题外。OCZ悄然更新的25nm闪存版Vertex 2系列硬盘还遇到了性能缩水的问题
从拆解后的对比照片可以看出，同为60GB容量Vertex 2，左侧的32nm海力士闪存版本使用了16颗32Gbit闪存，右侧的25nm美光闪存版本则只使用了8颗64Gbit颗粒。相应的，主控芯片在进行闪存读写时的通道数下降了一半，导致在一些应用中写入性能明显下滑。这一情况对于60GB这样的小容量型号尤其明显。
OCZ日前已经宣布，对遇到这一问题的美国用户提供免费更换服务，并将负担往返邮寄费用。更换后的新硬盘仍将使用25nm闪存，但会改用32Gbit颗粒以保证读写通道数，同时由于芯片数量增加，可减少部分冗余空间，增加用户可支配容量。
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