三星首款黑色PCB矮版4GB内存登场
第一印象：三星首次采用黑色PCB、市场上首款单条矮版4GB内存；第二印象：Sandy Bridge平台稳超2133MHz！
这两个最显著的特性，让笔者为它起了一个新的名字“绿色超频条”。笔者为“绿色超频条”做了如下定义：采用比市售产品更加领先的制造工艺，在电压需求和功耗更低的同时还要求具备不错的超频能力。三星Green DDR3正好符合这样的定义，既面向主流用户，也面向要求不是很高的超频玩家。
每当内存DRAM制造工艺得到一次进化的时候，更小的颗粒、矮版内存都会相继出现在市场上，随之而来的便是升级换代的开始。尽管内存价格一直受到供求的制约，但是在这条产业线严重萎靡的环境当中，只有那些拥有先进生产工艺的厂商，才有资本来引领市场潮流。无论是从自身的成本，还是产品方面，能够在同类产品中脱颖而出的，三星内存占据了很大的比重。40nm工艺单条矮版4GB内存的推出，就可以说明这一切了。
长期以来，三星原厂内存给用户们留下了很深刻的印象，虽然在零售市场没有很高的占有率，也没有专门针对超频内存的产品线，但凭借着作为国际第一代DRAM厂商和极好的品质，特别是针对国内推出的三星金条内存，稳定性极佳，兼容性出色。这让特色让三星原厂内存形成了很大一部分用户群体。
早在去年8月份，三星就首次发布了全新40纳米制造工艺的“幻影40”系列单面2GB DDR3 1333内存，并且达成最低1.35V的电压，并且以当时的平台来说可以完全超频至1800MHz使用。这让我们回忆起当年DDR时代，三星金条DDR400可以超频至570MHz那火爆的事情。
而这次登场的三星内存，采用的编号均为“K4B2G0846C-HCH9”的40nm颗粒，包含2GB和4GB的台式机内存和笔记本内存，规格均为1333MHz CL9。
冷眼看上去，第一印象，这次三星首次采用了黑色PCB而非绿色，而矮版在目前市场中也绝对是首例；
第二印象，默认环境下运行发热量低，而且在英特尔最新SandyBridge平台上可以超频到2133MHz！
其实还有一点，这次的内存竟然没有“金条”的Logo，而“Green DDR3”的字样首次印在了PCB上面。经询问，可能是由于送测产品的缘故，“金条”的防伪激光Logo还没有贴上，请用户在今后购买时注意识别。
40nm为先 四款黑色PCB内存规格详解
作为首次发布的四款新品，那么首先我们就来逐个欣赏一下，比对一下规格以及造型。
三星Green DDR3内存家族合影
新发布的三星DDR3 1333内存依然采用6层PCB设计，编号为“K4B2G0846C-HCH9”的颗粒，单颗容量为256MB。该颗粒以早已应用在现有的三星金条内存上，大家可以注意识别。
下面我们以台式机4GB DDR3 1333为例进行解读，其实没有必要记住编号的每个字符所代表的含义，只要记住几个关键的数字即可。
●探查内存标签编号
这次登场的台式机内存和笔记本内存采用了新的编号开头，分别为M379和M473，这不同于目前活跃于市场上的M378和M471系列，可以认为是三星重新设计了PCB板型，尽管并没有采用更新的30nm颗粒。
针对三星内存的产品编号，其中“M”代表Memory，“3”代表DIMM，“79”代表内存模组类型，“B”代表DDR3。需要注意的是，“C”的含义则是40nm。当然M379或者M473是否还会有采用其他工艺颗粒的产品目前还不得而知，但是从主流的M378和M471的情况来看，除了C代表40nm以外，B代表50nm，而D则代表30nm。
●探查内存颗粒编号
我们可以从其颗粒的编号之中探查一二，K4B2G0846C-HCH9，对于熟悉三星内存颗粒的用户来说应该很容易辨别。其中“K”代表的是三星内存，“4”代表DRAM，“B”代表DRAM种类也就是DDR3，“2G”代表容量也就是2Gb（256MB）的意思，“6”代表电压标准也就是1.5V，“C”代表的是校订版本，其实也是指40nm。也就是说，颗粒编号和标签编号的这个位置一定是对应的。
第二段的四个字符“HCH9”，这里我们只关注第二位即可，“C”代表1.5V，如果是“Y”则代表1.35V。而“H9”就代表是1333MHz CL9的规格。
绿色为先 三星矮版4GB内存细节赏析
现在我们仔细盘查一下这款内存的外表吧。
虽然三星并没有明确地给出该颗粒的工艺制程，但从笔者网上收集的资料来看它就是40nm工艺，这领先于其他厂商采用的50nm级工艺甚至63nm。更先进的工艺有利于降低成本，可以缩小封装体积，更好地设计矮版内存，也可以降低发热量，也更加有利于频率的提升，好处多多。
我们可以从标签上看到带有“Planet First”标识，这是三星提出的环保口号，中文意思“地球为先”，旨在强调生产环境中减少温室气体的排放并多生产亲环境的产品，这和下方的烫金“Green DDR3（绿色DDR3内存）”相互呼应。内存颗粒符合RoHS规范，采用无卤素工艺生产。
不过，“Green DDR3”的标识也是首次出现，但是是否环保这和PCB的颜色并没有直接关系。而在金手指方面，三星只使用了化学镀工艺，因为该工艺如今已经比较成熟，而电镀工艺仍然常见在一些高端内存中。
和其他DDR3内存不同的是，这款三星内存的PCB采用了更多的通孔（Via）设计，通孔用于个PCB层之间线路的连接，或者说是各层线路的交汇处，以保证电气性能更加出色。
同时，这款三星4GB DDR3内存在贴片电阻和电容方面的用料还算厚道。可以看到，在内存颗粒和金手指之间排列的排阻，能起到稳压作用，帮助内存更稳定的工作，提高内存的使用寿命。而在内存颗粒周围一圈围绕着的电容，可以起到滤波和耦合的作用，进一步确保内存的稳定性。
SNB为先 测试平台和测试软件说明
我们就以这款台式机矮版4GB内存为例展开测试，内存测试的意义在于挖掘内存的潜力。标准的测试主要包括：超频性能、延迟优化，通过数款软件在不同频率档下进行数据测试是最常用的手段。根据这款采用了40nm工艺颗粒的内存，笔者还进行了在标准频率下，探查可以启动的最小电压值。
当然，由于笔者只有一款4GB内存，因此也只能在单通道模式下进行测试。
测试平台中笔者采用了英特尔最新的酷睿i7 2600K处理器，关闭睿频加速选项。全新的Sandy Bridge平台通过改进的内存控制器，可以支持最高2133MHz的内存规格，而不必调节CPU外频，排除因CPU或者内存控制器的因素带来的影响。这也成为了现有进行内存测试的最佳平台。
内存SPD信息
默认环境下内存时序
无论从任何角度来看这其实都只是一条普通的内存而以，它到底能有多大能耐？
1.5V就上2133MHz 各档超频环境对比
经过笔者的简单尝试，这款内存在电压保持在1.5V的情况下，以及时序保持在9-9-9-24的情况下，可以轻松超频至1866MHz运行，这对于一款4GB内存来说已经不易。而当延迟放慢到10-10-10-27之后，在2133MHz下也可以启动，而此时电压依然可以保持在1.5V的水平。
英特尔Sandy Bridge默认就支持到16的内存分频，而在上一代只有酷睿i7系列处理器可以支持到12的分频，酷睿i5和酷睿i3系列最高只能支持到10。新的平台缓解了CPU的压力。
在1333MHz CL6环境下的截图（图片点击放大）
超频至2133MHz截图（图片点击放大）
我们可以从CPU-Z的截图中看出两种极端情况下的频率和时序情况。那么在整个过程中那么对性能所产生的影响，我们现在来考察一下。
基准内存带宽测试:AIDA64内存性能
EVEREST是一款非常实用，功能十分全面的硬件检测工具，而同时也内置了很多理论性的测试工具。为了考察内存的性能，我们选择了这款软件内置的内存与缓存测试项目，以考察内存的读取、写入、拷贝以及延迟等理论性能。
2133MHz下AIDA64软件缓存和内存性能测试截图
笔者将各档频率下的测试成绩以图表方式汇总，以方便观察性能差异。
可以发现，在1333MHz频率档下，更低的延迟只在内存读取性能上有少许提升，而写入和拷贝甚至还有所下降，说明这款内存在延迟优化能力上还不足以达成较好的效果。真正带来性能提升的仍是频率，在最高的2133MHz下，尽管延迟需要提升至10-10-10-27，但是性能依然显著。
延迟测试，1333MHz CL6的设置下其内存延迟甚至接近于1600MHz CL9环境下，不过1866MHz和2133MHz的优势依然明显。其中2133MHz CL10环境下已经接近突破40ns。
基准内存带宽测试:SiSoftware Sandra
SiSoftware Sandra（the System ANalyser, Diagnostic and Reporting Assistant）一套功能强大的系统分析、诊断、测试和报告工具，包括众多的分析与测试模组。其中包含完整的内存性能测试，包括内存带宽、内存延迟以及缓存和内存测试。
2133MHz频率下运行的SiSoftware Sandra测试（图片点击放大）
SiSoftware Sandra 2010软件下检测出的成绩和EVEREST相差无几，而整数性能和浮点数性能在该测试平台中相差并不大，这同时和CPU内核架构也有一些关系。
三项Windows7系统软件应用性能测试
笔者选用PCMark Vantage内存测试、WinRAR文件压缩测试以及Super π测试来代表该内存在本平台上的实际性能表现，也为大家在实际应用中做一些参考。
关于该测试的另一项GPU图片处理，软件是以“fps”为单位进行考察的，而从两个成绩来看和本次对比内存频率的变化对其影响微乎其微，更多只和CPU的频率提升有关联。
从WinRAR的测试来看，它不仅和频率敏感，而且和延迟也较为敏感。
进行Super π的测试通常还是会产生一些误差，从这个测试的结果来看，1333MHz和1600MHz的跨度较大，同时对延迟的影响也要引起一定注意。
1.23V能启动 极端频率最低电压挖掘
通常更好的制造工艺有利于工作电压的降低，虽然对于普通PC来说，内存的功耗可以忽略不计，而0.2V的电压差值也不会对整机功耗产生太多明显的影响，但是这依然可以在一定程度上看出一款内存的稳定性和耐久性。
1333MHz CL9模式下达成最低的1.23V的启动电压（图片点击放大）
2133MHz CL10模式下达成最低的1.48V的启动电压（图片点击放大）
值得说明的是，这两档电压只是可以正常启动系统并且跑完PCMark Vantage内存测试的环境下得来的。这并不代表在一些高负载下的应用也可以正常工作。尽管如此，在不到1.5V的电压下就可以达成2133MHz的频率，在普条中也算是非常出众的了。笔者会在后面做更多产品的对比测试。
总结：一款很给力的绿色超频内存
超频方面，不得不说，英特尔SandyBridge平台对内存控制器的加强，确实有助于内存频率的提升。但这并不表示这款内存在其他平台（如AMD）上也能达到这样的性能，即便是对于目前主流的如Lynnfield平台，通常需要将CPU外频提升至200MHz以上才可以实现2000MHz的内存频率，而一些主板BIOS还不开放UnCore频率调节，这就使得内存控制器的压力过大，根本无法发挥出内存本身的性能。
可能你认为1333MHz的普条超到2000MHz以上是正常现象，但是一款单条4GB的内存也能达成这样一个成绩，你是否会有些心动呢？
但应该说本次三星推出的内存产品也仍不是定位超频的产品，放眼整个“Green DDR3”系列产品，尽管黑色PCB看上去显得高贵，但是从矮版设计和“Green DDR3”以及更低的电压的需求方面来看，可以形容它为真正的绿色内存，这也符合三星“Planet First”的口号。
三星最早步入40nm制程，如今已经成熟，尔必达和海力士也已经跟进，并且在去年年中首次迈进30nm制程，再次领先竞争对手。但是，矮版4GB内存的推出，给人眼前一亮的感觉，同时使得三星在“环保”领域上继续保持领先。如果你希望寻得一款兼顾低功耗和高超频能力的内存的话，三星M379系列和M473系列将会是不错的选择。
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