开放式NAND闪存接口(ONFI)工作组今天公布了新版标准规范ONFI 3.0，通过使用非易失性DDR2接口(NV-DDR2)，NAND闪存接口的传输速度得以翻番达到400MB/s(或者说400MT/s)，同时继续保持向下兼容。
开放式NAND闪存接口(ONFI)工作组今天公布了新版标准规范ONFI 3.0，通过使用非易失性DDR2接口(NV-DDR2)，NAND闪存接口的传输速度得以翻番达到400MB/s(或者说400MT/s)，同时继续保持向下兼容。
ONFI 3.0标准详细规定了NAND闪存的最新接口、基础架构定义。接口速度翻一番之后，NAND闪存控制器今后只需要一半数量的通道就能获得同样的性能，从而大大节约成本和产品体积，特别有利于固态硬盘的推广和普及。
新标准增加了差分信号技术，可控制电压拨动、节省功耗，并且内核选择(die selection)技术，能够减少芯片选通(chip enable)所需要的针脚数量，进而减少控制器的针脚数，提高PCB布线效率。这同样有助于固态硬盘降低成本，同时还能让更多针脚分配给其他系统任务。
ONFI 3.0今后还将加入ECC Zero (EZ-NAND)接口，免去主控制器疲于应付NAND技术ECC错误校验快速变化的负担。
ONFI工作组成立于2006年5月，致力于简化NAND闪存在消费电子应用和计算平台中的集成和普及，其中创始企业包括海力士、Intel、美光、群联电子(Phison)、SanDisk、索尼、Spansion等等，目前已经发展了100多名成员，包括威刚、祥硕、宇瞻、AMD、富士康、日立、LSI、Marvell、NVIDIA、SandForce、希捷、Super Talent、创见、西部数据、华邦等等。
ONFI 3.0标准规范全文：
http://onfi.org/specifications/
网友评论