继台积电、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）宣布45纳米制程技术已具相当成熟度，联电也于20日宣布其南科12寸厂12A以浸润式微影技术成功产出45纳米测试芯片，联电对此先进制程研发的大跃进相当振奋。联电宣布的这项成果，也代表台积电、联电、特许都已具有45纳米
继台积电、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）宣布45纳米制程技术已具相当成熟度，联电也于20日宣布其南科12寸厂12A以浸润式微影技术成功产出45纳米测试芯片，联电对此先进制程研发的大跃进相当振奋。联电宣布的这项成果，也代表台积电、联电、特许都已具有45纳米开发能力，三方皆已技术到位。联电表示，已成功产出比0.25平方微米更小的45纳米静态随机存取内存（SRAM）芯片。此芯片采用联华电子所独立发展的逻辑制程，在12层重要层中使用复杂的浸润式微影术，并且结合最新的尖端技术如超浅接点技术、迁移率提升技术以及超低介电值技术（k=2.5）。
负责督导中央研究发展部与Fab 12A的联电执行副总孙世伟表示，由于45纳米制程技术必须同时采用新的材质与制程模块，是相当具有挑战性的世代，联电作为全球少数率先产出45纳米制程测试芯片的公司感到非常振奋，未来也会持续提升45纳米制程的良率，筹备将此项技术提供给客户使用。
据目前国内晶圆大厂台积电、联电在45纳米制程技术最新进展，台积电45纳米制程技术已最佳可做到零缺陷密度，联电这次宣布成功量产测试芯片也代表其技术上的大跃进。至于试产时程，台积电、联电皆不约而同预估2007 年下半将迈入试产，这也使得台积电、联电在制程差距上时程不断缩短。
联电表示，45纳米制程技术配有微缩30％的设计规则，将具有微缩50％的六晶体管SRAM组件尺寸的能力，可较65纳米制程高出30％的芯片效能。目前65纳米制程目前已有数字客户采用，并将于本季放量成长。目前主导联电45纳米制程的研发是在位于南台湾的南部科学园区的12寸晶圆厂Fab 12A。
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