全盘填充测试:美光Crucial M4 128GB
下面是美光Crucial M4 128GB的填充测试成绩,它搭载的是自家ONFI 2.2标准的25纳米同步闪存,配合0009固件,让我们来看看它有多大能耐。
空盘下的性能表现,写入速度超过200MB/s,QD32随机写185MB/s
填充至80%时,读写性能均没有明显影响
填充至90%时,性能依然没有影响,值得欣喜
第一次达到99%,只有4KB随机写入性能有些许影响
第二次达到99%,QD32下的4KB随机写性能受到一定影响
满盘下的PCMark 7测试结果,性能只有0.1%的损失
快速格式化之后,性能几乎得到了100%的恢复
由于笔者的失误,导致进行填充测试时全部使用了全0的数据模型,但之后产品归还无法重新测试。好在数据模型对美光Crucial M4没有什么影响。
可以看到美光Crucial M4的表现非常完美,即便在满盘情况下写入性依然没有明显下降。这是因为Marvell主控采用闲置垃圾回收策略,在碎片不是很多的情况下,尽可能保证了性能的发挥。只是因为剩余容量太少导致QD32下的性能有23%的跌幅。
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