全盘填充测试：美光Crucial M4 128GB
下面是美光Crucial M4 128GB的填充测试成绩，它搭载的是自家ONFI 2.2标准的25纳米同步闪存，配合0009固件，让我们来看看它有多大能耐。
空盘下的性能表现，写入速度超过200MB/s，QD32随机写185MB/s
填充至80%时，读写性能均没有明显影响
填充至90%时，性能依然没有影响，值得欣喜
第一次达到99%，只有4KB随机写入性能有些许影响
第二次达到99%，QD32下的4KB随机写性能受到一定影响
满盘下的PCMark 7测试结果，性能只有0.1%的损失
快速格式化之后，性能几乎得到了100%的恢复
由于笔者的失误，导致进行填充测试时全部使用了全0的数据模型，但之后产品归还无法重新测试。好在数据模型对美光Crucial M4没有什么影响。
可以看到美光Crucial M4的表现非常完美，即便在满盘情况下写入性依然没有明显下降。这是因为Marvell主控采用闲置垃圾回收策略，在碎片不是很多的情况下，尽可能保证了性能的发挥。只是因为剩余容量太少导致QD32下的性能有23%的跌幅。
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