IBM、Macronix (旺宏电子)及Qimonda(奇梦达)宣布共同研发的“相变化内存”(Phase-Change Memory,PCM)技术获得重大突破,此新型内存转速较闪存(flash)快500多倍,读写数据耗电量少1/2,此项新技术突破将替未来半导体科技产业写下崭新一页。
IBM、Macronix及Qimonda共同发表联合声明表示,该新型计算机内存可能取代目前广泛应用于计算机及一般 消费性电子产品的闪存。
声明中表示,该内存采用一种新的半导体合金,尺寸较一般闪存更小,这使得未来新一代高密度 非挥发性内存设备与功能更强大的电子产品成为可 能。
声明中指出,非挥发性内存不需要电力来保存信息,透过非挥发性、卓越性及可靠性3种技术的结合, 新内存技术可望制造出应用于移动通讯的通用内存。
IBM、Macronix及Qimonda连手的研究团队日前于国 际电子组件大会(IEDM)上首度发表这项成果,证实仅需 要小于100微安培的电流,即可在厚3奈米,宽20奈米之GeSb(Germanium Antimonide)组件上迅速完成相变化, 这项新技术对未来10多年后才会进入20奈米的预测,提供了可行性的前景,因此相当具有影响性。
《日本经济新闻》今(2006)年6月份报导指出,日本Elpida Memory将从今年开始投入一种名为"PRAM"的原型相变内存设备研发,并计划在未来2-3年内投入量产,报导指出,Elpida将开始生产的可能是128M的PRAM芯片。
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