两大特征：TrueSpeed与24纳米闪存
●TrueSpeed实境效能让SSD永保运算高效能
固态硬盘在使用一段时间后会充斥着很多碎片，碎片是无法避免的，就像机械硬盘中碎片的概念一样，由于碎片的缘故我们所需要的文件不会存放在连续的扇区中，增加寻址压力，影响随机存取操作的效能。而固态硬盘的垃圾回收机制是独立于操作系统的内部碎片整理机制，以保证性能的平稳发挥。不过Marvell所采用的闲置垃圾回收操作机制会造成额外的写入放大，影响寿命，因此如何在性能和寿命之间取得一个良好的平衡是固件设计的关键。
当固态硬盘的每一个Block均完成一次P/E周期之后，就进入了Dirty State。因此良好的算法有助于保持SSD性能不会降低。而浦科特主打的实时还原技术（Instant Restore），让SSD即使是在Dirty State也仍可维持与Clean State（全新硬盘）相同的读写效能，能有效解决SSD用户最为关心的Dirty State读写效率问题。
此外，浦科特M3P所采用的Marvell主控芯片支持Uncompressed bitmap formats（资料不压缩格式），因此在CrystalDiskMark测试中，无论使用随机数据模型还是全0或者全1的数据模型下，都可以获得同样的性能表现。当然这点与SandForce引以为傲的DuraWrite机制各有好处，并不代表哪一机制更佳。
具体来说，该技术通过特有算法，将资料区块记录方式最佳化，不会随着大量资料存取降低读写速度，在长期持续使用状况下不降速。同时没有采用即时压缩的机制使浦科特M3P在面对不同数据模型下都有相同的表现，这些特征也被综合命名为“TrueSpeed实境效能”。
●东芝24纳米Toggle DDR Mode
2.0闪存
Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球NAND市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新NAND闪存接口标准，用来与英特尔、美光、海力士为首的NAND厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。
目前基于SandForce SF-2281主控的固态硬盘如果是采用英特尔或者美光的颗粒，都基于ONFI 2.2标准，该标准支持NAND闪存每条通道的传输带宽提升至166MT/s～200MT/s，而2011年最新出台的ONFI 3.0规范更是可以让闪存的接口带宽达到400MT/s。
对于Toggle DDR Mode来说，所谓的“DDR”其实和DDR内存的道理是一样的，利用DQS信号的上升沿和下降沿都进行一次数据的传输，速度自然翻倍。
浦科特M2S和M2P都采用的是Toggle DDR Mode 1.0的标准，其接口带宽可以达到133MT/s，而最新的2.0标准和ONFI 3.0一样可以达到400MT/s的接口带宽。而这一全新标准的闪存，也由浦科特率先采用。
从图中我们可以看到全新的Toggle DDR Mode 2.0可是实现随机读取性能30%的增幅，随机写入性能120%的增幅。而按照如果相应闪存以8bit的位宽来计算，可以实现400MB/s的传输带宽。但综合来讲，全新标准的闪存应该和全新一代的主控芯片配合才能发挥出全部效能。据悉Marvell下一代SATA主控芯片要到今年下半年才会崭露头角。
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