内部解读：兼顾散热及镀铅薄膜防干扰
浦科特M2P所带来的高性能带来的负面因素就是发热量的增高，因此为主控芯片和闪存芯片都双双配备了多个固态硅胶导热垫。但在7mm厚度下，M3P如何来满足散热需求呢？虽然全新工艺下的闪存会带来不小的节能效果，但恐怕被动散热仍是不可或缺的。
拆解M3P的外壳，我们依然看到了固体硅胶导热垫，不过比M2P的导热垫要薄了不少，但这并不等于散热效果降低，并透过M3P所配备的铝制外壳，热量也可以更好地散发出去
而在主控芯片的一面，外壳内部贴有一层镀铅薄膜，可以有效地防止外部辐射等其他的干扰，让主控工作在更加稳定的环境内。比较铝壳虽然散热效能出色，但是防辐射能力较差。这种细节设计在其他品牌的固态硬盘中绝对是不多见的。
PCB正面，板型布局和M2P、M3基本一致，仅一颗Marvell主控芯片，三者一脉相承，应该说都属于浦科特的第三代产品。
背部我们也见到了8颗NAND闪存芯片，单颗容量为16GB，组成128GB的物理容量。事实上512GB的版本也同样为8颗闪存芯片，单颗容量达到64GB，即512Gb，是通过多层堆叠达成更大的容量。
主控芯片近照，编号88SS9174-BLD2，BLD2其实是和我们常见的BKK2基本上是一样的，专供OEM产品使用（如美光C400），当然这也看批次，目前有部分美光M4采用的也是BLD2的芯片，效能上两者是相当的。
东芝24纳米Toggle DDR Mode 2.0 MLC NAND闪存芯片，编号为TH58TEG7D2HBA4C，单颗容量为16GB，接口位宽8bit，带宽可达400Mbps。
128GB的浦科特M3P配备的缓存容量为256MB，因此这里仅配备一颗南亚DDR3 DRAM芯片，还预留一个空焊位，留给256GB和512GB使用，这两款产品采用512GB DDR3缓存。
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