IBM联合AMD公司，包括与之相关的合作厂商——东芝和索尼公司联合发布了最新联合开发的45纳米制程技术，并预计将会在2008年才是采用这一制程技术，其中包括类似intel目前已经开始采用的High-K电介质制造技术到45纳米制程技术中。
IBM联合AMD公司，包括与之相关的合作厂商——东芝和索尼公司联合发布了最新联合开发的45纳米制程技术，并预计将会在2008年才是采用这一制程技术，其中包括类似intel目前已经开始采用的High-K电介质制造技术到45纳米制程技术中。
IBM公司研究机构科技部副总裁T.C.Chen博士表示，到目前为止，芯片工业领域如何跨越当前技术障碍是一项比较重要的内容，在经过长达十年的技术推进工作之后，我们终于可以跨越这一障碍；目前芯片技术已经深入人们生活的每一部分，而最新芯片技术的研发成功也意味着将可以带给人们生活更大的转变。
在包括AMD，东芝和索尼几家联合开发伙伴的协作下，IBM目前已经发现一种可以借助新材料链接晶体管临界电路的途径，新技术的突破意味着相比旧有技术可能提供更小的制造体积，更快的电路响应速度，更低的能耗控制水准。同时，比较值得关注的一个重要方面还包括，这项新技术也可以被导入到目前正在使用的芯片制程技术中来，同时并不会对当前的制造设备和工艺提出过多的改进要求，因此可能创造更高的经济价值。
IBM全新开发出来的称之为high-k介质门电路技术采用一种在晶体管集成电路中全新可替代的介质材料，控制主门电路的闭合切换工作。相比前代制造技术，新材料可提供更具优秀电气特性的特质，可有效增强晶体管功能表现，包括缩减控制晶体管的尺寸，以达到当前制造水平所不能达到的境界。
如何将新材料引入到当前的制造技术中也是一项非常重要的工作，目前IBM公司已经能够在不进行重大改进和修正升级的前提下熟练运用这类新材料介质，其商用经济效应价值也已经可以得到初步体现。
IBM公司已经在包括IBM早期发行的科技杂志上，以及芯片技术介绍会上提及此项技术，IBM近期也计划会在即将召开的技术发布会上提供更多技术细节。
新技术将会对整个电子系统领域产生深远影响，包括消费电子类到计算机产业界，IBM目前也已经开始将新技术应用到旗下的East Fishkill，NY半导体工厂进行试验性制造，预计到2008年开始进入配套45纳米制程技术的生产阶段。
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