备受期待的骁龙835在本届CES 2017开展正式发布，骁龙835首次采用三星10nmFinFet工艺，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带。如此强悍的规格桉树，可以说再一次引领了智能手机芯片的&
【PChome电脑之家美国拉斯维加斯报道】2017年美国CES消费电子展将于2017年1月5日至1月8日在美国内华达州拉斯维加斯市举行，本站前方特派记者团将从展会现场发回报道。
备受期待的骁龙835在本届CES 2017开展正式发布，骁龙835首次采用三星10nmFinFet工艺，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带。如此强悍的规格桉树，可以说再一次引领了智能手机芯片的发展。
除了骁龙835之外，在高通的展台还展出了与骁龙835相关的一系列周边技术，包括双摄处理、移动VR体验改善、HDR10支持、Quick Charge 4快充技术等特性，并且都单独划出了空间分别展示，下面就通过图文的形式带大家一起探究一下高通展台。
vivo Xaply6
Moto Z及Moto Mods模块产品
手机合作伙伴的展区，高通除了展出最新的骁龙821终端设备以外，在2016年标新抢眼的产品也一并展出，包括Moto Z、vivo Xplay6、华硕ZenFeon 3尊爵等等。可以展示骁龙处理器应对不同终端方案时，所具备的泛用度和灵活性。
骁龙835依靠强大的硬件实力，配合强悍的X16千兆级LTE调制解调器。在VR、传输方面都有大幅提升，演示中5台骁龙835手机通过无线连接的方面进行VR内容投屏，整个过程中没有任何卡顿，十分流畅。
现场还展示了5相关的LTE和IoT相关方案，相信未来也会成为5G发展的关键性技术。
与骁龙835一同发布了新一代QC4.0快速充电技术，相比QC 3.0充电速度提升20%，并支持Type-C，能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。相比之下QC4.0有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。
在展台上，高通也是展出了大量合作伙伴支持QC技术的充电设备，这些产品都经过高通官方认证，在充电体验方面可以给用户带来统一的优秀体验。
CES毕竟是消费电子产品的展会，更加偏向普通消费者，对于硬实力更偏向于为产品提供技术和方案的高通来说，其实并不是它所拿手的类型。不过作为众多智能手机为人所铭记的幕后功臣，高通还是用实力证明了自己。
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