三星电子日前宣布，已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，可带来2400MTps的传输速度。
三星电子日前宣布，已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。全新一代的存储芯片可带来2400MTps的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级SSD的传输速度轻松超过12GBps。
据介绍，第8代V-NAND可提供最大1Tb(128GB)的方案，三星电子没有公开IC的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，其新一代3D NAND闪存可提高20%的单晶生产率，从而进一步降低了成本（在良率相同的情况下），这可能意味着固态硬盘价格有望进一步下降。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoiHur表示：“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D压缩技术，以降低表面积和高度，同时避免在压缩时容易出现的单元间干扰问题。”“我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
（图片来源于互联网）
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