台积电即将推出的2nm工艺将首次引入Gate-All-Around（GAA）晶体管技术，这一技术也被称为环绕栅极晶体管技术。预计采用GAA技术的2nm工艺将在性能和功耗方面实现显著的改进。
近日，外媒爆料称，台积电将于下周试产2nm工艺芯片，早于市场预计的第四季度。据了解，台积电的2nm工艺制程，核心创新在于纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）。这种设计允许晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少电能泄漏，提高性能。
台积电即将推出的2nm工艺将首次引入Gate-All-Around（GAA）晶体管技术，这一技术也被称为环绕栅极晶体管技术。预计采用GAA技术的2nm工艺将在性能和功耗方面实现显著的改进。与3nm工艺相比，台积电的2nm工艺在保持相同能耗和复杂度的前提下，性能将提升10%-15%。同时，在相同速度和单位面积晶体管数量的情况下，2nm工艺的能耗将比3nm工艺降低25%-30%。这一技术的引入预示着半导体行业在追求更高性能和更低能耗的道路上迈出了重要一步。
按台积电的规划，其2nm工艺预计将在2025年开始量产，届时，苹果的A19芯片可能会使用这项技术，iPhone 17系列手机有望成为首发产品。这样意味着，今年问世的iPhone 16系列手机将继续使用3nm工艺芯片。
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