绝唱！Intel双核CPU巡礼

互联网 | 编辑: 2005-07-29 08:00:00原创 一键看全文

双核心技术浅释－2

　　Intel在3月份已经公布了其双核心处理器的技术细节，它和目前的Prescott核心处理器一样使用90nm的制程，集成了2亿3千万的晶体管，核心顶面积也达到了206平方毫米。他的技术支持特性与Pentium4较为相似，支持EM64T的64位技术，Execute Disable Bit的防毒功能以及EIST增强型SpeedStep技术。而缓存方面与Intel 6xx系列的CPU相比，双内核的处理器缓存也并没有增加，同样为2m，但定义就完全不同，是处理器中的两个内核各自独立享有1m的二级缓存。


目前最高端的Pentium Extreme Edition“内脏”图片

　　暂时来说，双核心划分为两个系列，包括了Pentium D以及Pentium Extreme Edition，Pentium D系列共有3个型号，分别是Pentium D 820（2.8GHz）、Pentium D 830（3.0GHz）和Pentium D 840（3.2GHz）。Pentium D与Pentium Extreme Edition最大的区别是，Pentium D并不支持超线程技术，而Pentium Extreme Edition则支持，也就是说，Pentium D在操作系统中仍然像支持超线程的P4一样显示两个CPU，而Pentium Extreme Edition则会识别为多大4个的CPU。

　　可以了解到，由于目前的双内核处理器采用的仍然为Prescott核心，因此依然采用的是90nm的工艺制作，内嵌的Transistors晶体管数目达到了2亿3千万，导致了其内核的面积由原来的Pentium4 XE 3.73GHz的135平方毫米增加到现在的206平方毫米，因此其发热的问题也是比较令人担忧的。从双核心处理器最高频率仅仅为3.2.GHz就可以了解到其处理器内部的设计受到了一定限制，相比其单核心的3.6G还要低一点，Intel也说明了到06年之前也将不会有工作频率高于4G的处理器发布。

　　在较早之前Intel召开的IDF上获知，在Intel未来的处理器中会采用更为先进的High－K技术，以减少处理器内部的漏电情况，与Intel目前采用的SIO技术相比较，若SIO技术的漏电比为1，则High－K的将会是0.01，这项技术会很好地解决了目前的发热问题，另外对处理器的频率提升会有很大的帮助，Intel预计将会在2007年的45nm技术下使用。除此之外，无论是PentiumD还是Extreme Edition，比较令人失望的是他们的前端总线仍然停留在800MHz，相信在未来的后续产品中1066MHz这个指标是肯定不会少的了，达到当前Pentium4 XE的水平。

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