绝唱!Intel双核CPU巡礼

互联网 | 编辑: 2005-07-29 08:00:00原创 一键看全文

双核心技术浅释-2

  Intel在3月份已经公布了其双核心处理器的技术细节,它和目前的Prescott核心处理器一样使用90nm的制程,集成了2亿3千万的晶体管,核心顶面积也达到了206平方毫米。他的技术支持特性与Pentium4较为相似,支持EM64T的64位技术,Execute Disable Bit的防毒功能以及EIST增强型SpeedStep技术。而缓存方面与Intel 6xx系列的CPU相比,双内核的处理器缓存也并没有增加,同样为2m,但定义就完全不同,是处理器中的两个内核各自独立享有1m的二级缓存。


目前最高端的Pentium Extreme Edition“内脏”图片

  暂时来说,双核心划分为两个系列,包括了Pentium D以及Pentium Extreme Edition,Pentium D系列共有3个型号,分别是Pentium D 820(2.8GHz)、Pentium D 830(3.0GHz)和Pentium D 840(3.2GHz)。Pentium D与Pentium Extreme Edition最大的区别是,Pentium D并不支持超线程技术,而Pentium Extreme Edition则支持,也就是说,Pentium D在操作系统中仍然像支持超线程的P4一样显示两个CPU,而Pentium Extreme Edition则会识别为多大4个的CPU。

  可以了解到,由于目前的双内核处理器采用的仍然为Prescott核心,因此依然采用的是90nm的工艺制作,内嵌的Transistors晶体管数目达到了2亿3千万,导致了其内核的面积由原来的Pentium4 XE 3.73GHz的135平方毫米增加到现在的206平方毫米,因此其发热的问题也是比较令人担忧的。从双核心处理器最高频率仅仅为3.2.GHz就可以了解到其处理器内部的设计受到了一定限制,相比其单核心的3.6G还要低一点,Intel也说明了到06年之前也将不会有工作频率高于4G的处理器发布。

  在较早之前Intel召开的IDF上获知,在Intel未来的处理器中会采用更为先进的High-K技术,以减少处理器内部的漏电情况,与Intel目前采用的SIO技术相比较,若SIO技术的漏电比为1,则High-K的将会是0.01,这项技术会很好地解决了目前的发热问题,另外对处理器的频率提升会有很大的帮助,Intel预计将会在2007年的45nm技术下使用。除此之外,无论是PentiumD还是Extreme Edition,比较令人失望的是他们的前端总线仍然停留在800MHz,相信在未来的后续产品中1066MHz这个指标是肯定不会少的了,达到当前Pentium4 XE的水平。

提示:试试键盘 “← →” 可以实现快速翻页 

一键看全文

本文导航

相关阅读

每日精选

点击查看更多

首页 手机 数码相机 笔记本 游戏 DIY硬件 硬件外设 办公中心 数字家电 平板电脑