昨天我们报道了三星32nm制程NAND闪存芯片存在写入速度过慢的问题，因此遭到各大SSD硬盘厂商的弃用。而Dailytech则就此询问了三星，并 收到了来自三星官方的回复，他们表示：“制程升级的新闪存芯片应当配用新的芯片控制器才能正常工作，如果把我们的32nm制程芯片与质量不佳的旧款芯片控 制器配合在一起，那么当然有可能会出现性能下降的问题。”
目前闪存芯片的基本存储单元均基于floating-gate晶体管结构，随着制程的进步，这些晶体管的尺寸也越来越小，这样电流的通过便愈加困难，对这些晶体管执行“写入”操作时，很有可能会出现写入失败的现象，这些写入失败必须由ECC校验机构来纠正。ECC校验机构一般是由闪存芯片控制器进行控制的，不过如果控制器性能不佳，加上出错的次数太多，那么控制器的工作效率自然便会大幅下降。
据Dailytech获得的消息称，东芝32nm闪存当初也存在类似的问题，不过后来他们解决了这个问题；而Intel的34nm制程闪存甚至为了解决类似的问题而将量产日期后延了6个月之久。
大部分Dailytech接触的SSD硬盘厂商均采用Indilinx公司的Barefoot闪存控制器与三星的32nm制程闪存芯片配合。而这种控制芯片在许多SSD硬盘产品上使用时都发生过类似的问题，为此Indilinx公司也在积极研究解决问题的方法。不过，查找故障的过程应该不会很快，看起来一直在苦苦等待SSD硬盘降价的朋友又得再等上几个月了。
于此同时，三星自己也在研制自有闪存专用的三星闪存控制芯片，不过他们目前为止他们自己也还没有在自主品牌的SSD硬盘上启用32nm制程闪存芯片。三星表示：“在我们即将推出的新SSD硬盘产品中，我们与几家主要的PC OEM厂商通力合作，花了很多时间来开发，调整新的闪存芯片控制器和硬盘固件等部分。”
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