第二代高K栅极技术 32nm工艺分析
或许摩尔向全世界宣布他的“摩尔定律”的时候几乎没有人把他放在心上，但如今摩尔定律却一次又一次证明了其有效性。四十年间，PC的发展一直遵循着摩尔定律的方向发展着——集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔两年左右就翻一番。最近人们开始质疑摩尔定律的有效性，直到2007年11月12日，第一代高K金属栅极技术出现在Intel 45nm产品上，在制程工艺难以突破的今天，高K金属栅极技术无疑是一道曙光，将濒临破灭的摩尔定律再一次得到了有力的保证。直到今天，高K技术终于再一次突破，而我们即将看到的Clarkdale则正是第二代高K栅极技术的杰作。
Clackdale采用的是第二代高K金属栅极晶体管制造工艺，并采用了193nm沉浸式光刻技术（核心金属层）以及193nm和248nm干式光刻技术，这令晶体管栅极间距缩小到了112.5nm的程度（45nm制程为160nm）。第二代高K技术让这颗处理器拥有了一个比45nm制程CPU核心小30%的体积。
鉴于Clackdale“双芯合一”的特性，更小的体积也能为图形芯片带来更大的空间，Clack能够环拥两颗主要芯片封装在一块只有LGA 1156处理器等体积大小的PCB之中也正是有赖于新一代的32nm 高K制造工艺。解决发热是内置图形核心的CPU最需要解决的问题，第二代32nm高K技术则在减小芯片体积的同时带来了极低的能量损耗，这使得Core核心的发热量大为减少，Core和Graphics并存的时代也由此开始。
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