延迟——永远达不到的标准
除了内存频率，玩家在超频时还经常需要更改内存的延迟，内存处于数据存储就需状态前需要的准备时间就是内存的延迟。
目前内存延迟通常用4个数字表示，比如DDR3内存常见的8-8-8-24，理论上说如果频率相同的情况下，内存延迟越小，也就代表了内存性能越高，但目前根本无法达到零延迟的情况。
在内存延迟的4个数字中，第一个数字就是我们常说的CL值，他表示内存从接到命令，到正式开始传输数据之间的时间，通常认为这个数值是内存延迟个数值中最重要的一个。
第二个数字是行地址控制器预充电时间（RAS Precharge），也就是tRP，他表示内存在结束一个行地址访问后到重新开始之间的间隔时间。
第三个数字表示内存从行地址访问转换到列地址访问之间的间隔，英文为（RAS to CAS Delay），也就是tRCD。
第四个数字是内存激活行地址控制器所需要的时间，英文为Act-to-Precharge Precharge Delay（tRAS）。
为了理解内存延迟的概念，我们不妨把内存想象成一个大表格，为了得到某一数据的，只要确定其所在的行数和列数就可以了。运行时内存会先传输数据的行列地址，首先被激活的是行地址信号，在经过几个周期后，列地址信号被激活，并最终得到唯一确定的数据。
虽然所有延迟中，CL对内存的数据数据传输速度影响较多，但我们考察内存性能时并不能知看CL值，只有所有延迟都降低才能明显提高内存性能。
另外降低延迟值必将拖慢内存的工作频率，因此对于超频玩家来说，提高内存延迟值或许可以使内存工作在更高的频率上，从而获得更高的CPU外频。
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