不断推进：三星推20nm尔必达推1866
●三星将全面过渡至20nm级工艺节点
三星电子今天宣布，三星电子16号半导体生产线竣工投产，该生产线为全球最大规模半导体生产线，主要产品为20nm NAND闪存。三星电子本月还将首次实现20nm DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20nm级存储器产品的企业。
本月将实现量产的三星20nm 2Gbit DDR3内存颗粒拥有与去年7月研发的30nm DDR3产品的同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量。三星计划今年内研发20纳米级4Gbit DDR3颗粒，明年开始量产20nm工艺单条4GB、8GB、16GB、32GB内存等大容量产品。
由于PC厂商的需求降低导致存储芯片价格过去三个月的降幅超过30%，甚至低于生产成本。由于平板电脑和智能手机受到消费者热捧，因此今年全球PC出货量只能实现不足5%的增长。
●尔必达将引领DDR3 1866新潮流
日本公司尔必达也在上上周宣布已经开发出基于25nm制程节点的全球最小的4Gb DDR3 DRAM颗粒。
相比30nm工艺，新的芯片在运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，同时25nm工艺也使得1块晶圆能切割出来的芯片数量相比30nm节点增加了45%。
全新的25nm 4Gb DRAM颗粒可以达成1866MHz的频率，而工作电压可以在1.35V或者1.5V，相关的样品和量产预计要等到今年年底才能够达成。
笔者观点：三星已经推出了基于30nm工艺的DDR3-1600 1.35V内存产品，当然没有散热片，这意味着主流内存频率终于可以向更高层次迈进了。预计明年DDR3-1600将大规模普及，而DDR3-1866乃至DDR3-2133或许将在2013～2014年成为主流，届时，DDR4内存也将开始崭露头角。记得前几年有人曾称DDR内存发展至第三代就将遇到瓶颈，取而代之的是XDR内存，目前来看DDR还是有着活跃的生命力的。
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