主控特性：SandForce SF-2000回顾
了解SSDNow V+200 SSD之前，先要了解SandForce SF-2000系列主控特性。相比SandForce SF-1200/1500系列，SF-2000系列主控沿用了DuraClass技术，同时还增加了对ONFI2和Toggle接口规格的闪存的支持，支持AES-256bit加密，支持ECC以及可选的断电保护功能。
经典的DuraClass技术，它包含RAISE、DuraWrite等技术。RAISE是一项类似于RAID5的功能机制，是一个独立的冗余数组结构，这个功用的主要目标，是在于改进故障机率，保障压缩数据的安全。这项技术也是配合DuraWrite技术而运作的。
●DuraWrite大大增强SandForce性能表现
DuraWrite是SandForce系列主控的核心。了解DuraWrite首先需要知道垃圾回收（Garbage Collection），这在SandForce上被称为“Recycler”。由于闪存进行写入操作的最小单位是页，而擦除操作的最小单位是块，一般一个块为128～256个页。这样原本可能只需要写入4KB的数据，但是因为这个块中存在数据，就需要先擦除整个块然后再重新进行写入操作，最后就变为实际写入512KB甚至1MB的数据。写入放大达到了128或256。
在实际中，较低档次的固态硬盘写入放大率一般在10到20倍左右，英特尔的方案可以达到1.1倍，而SandForce的方案则只有其一半不到，平均只有0.5倍。原因就是这个DuraWrite技术拥有一个数据的实时压缩机制。
SandForce的测试指出，完整安装Windows 7和Office 2007需要写入25GB的数据，但是经过实时压缩实际写入到闪存的数据只有11GB。当然我们在系统中所看到的仍为25GB。这种压缩算法可能是一种重复数据删除技术，或者说是一种数据约减算法。
●DuraWrite对延长写入寿命同样有利
这项技术确实可以带来很多优点，特别是性能上。写入的数据少了，相对来说速度自然就翻倍了，而读取操作同样如此。显然对于SandForce 能够标称高达500MB/s的写入速度是在最好情况下的成绩（数据可以被实时压缩），而读取550MB/s的速度可以认为是受到了主控提供的通道的能力的限制或者SATA6Gbps接口带宽的限制，这从我们后面的测试就可以看得出来。
同样，经过压缩之后，写入闪存的数据少了，所以实际磨损程度也被减小了，这就变相使得MLC的写入寿命得到延长，甚至接近SLC的写入次数，一些文档中的这种说法并非没有道理。
●支持ONFI2和Toggle接口大幅提升性能
SandForce SF-2000系列主控最大的特点就是增加了对ONFI 2和Toggle接口类型的闪存的支持，这种闪存采用一种类似DDR的原理，是在DQS上升沿和下降沿时分别进行一次数据传输，这样做的好处非常明显，因为目前NAND闪存的接口速率只有40MB/s，而ONFI 2和Toggle NAND闪存则可以增加到166MB/s。
美光科技表示，当前的双路NAND阵列可以具备330MB/s的读取速度以及33MB/s的写入速度，并兼容ONFI 2和Toggle NAND闪存，这意味着SandForce可以极大地提升应用性能。
●民用级的SF-2281主控没有断电保护功能
断电保护，这是英特尔在所有第三代固态硬盘中重点增加的一项功能，而在SandForce的方案中作为可选项提供。后者的方案是配备有一个0.09F的大容量电容以保证断电之后数据还可以写入到闪存当中，防止丢失。
然而英特尔表示这样的设计是没有必要的，因为这种高速缓存的数据量很小。为此，英特尔为320系列配备了6个470μF并联电容，同时报告指出，多电容并联可以带来更好的可靠性，就算其中一个坏掉，其他的电容还可以正常工作。
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