随着11月9日的临近，NVIDIA的G80核心已经距离我们越来越近，相信大家都已经对于G80所带来的技术革新有所耳闻。我们EW工作室也在上周一的时候得到了这款显卡，火热的评测正在进行中。面对G80的强大攻势，无论是老一代G7X核心还是如日中天的RV5XX核心，在G80面前骤然失色。大家
Sapphire X1950Pro 用料与设计
[Sapphire X1950Pro 用料与设计]
在这个分页，我要着重介绍一下Sapphire X1950Pro的显卡制造工艺。这块X1950Pro给人的第一感觉就是元器件的数量非常少，可能对于看惯了同德版、或者NV卡的朋友们，觉得用料有些不实在，那么你们绝对是错了。因为这块卡的用料绝对是属于走高段路线的。
先从能够看到的电容来看，我们只能够找到有限的4颗固态电容与7颗小黄豆钽电容。除了显卡布满了密密麻麻的TMS元件，似乎和同等级的7900GS相比，用料未必太省了。面对核心与显存的功率要求，相信没有一个完备的供电方案，X1950Pro是不可能好好工作的。那么接下来就是需要着重介绍的部分。
Sapphire X1950Pro供电部分从专业的角度出发，完全就是为最疯狂的超频爱好者而设计的。X1950Pro所拥有那些TMS元件并非普通的产品，如果稍微玩过板卡的朋友们，因该知道MLCC是什么东西。MLCC被称为多层陶瓷电容，由于其超强的电气性能，一直被用在高精尖设备上。其电气ESR值、运行频率都要比钽电容、固态电容强上许多，根本就不是在一个等级上。
先来看显卡的正面右上角的供电区域，我们直接看到了一款出自Puls的封闭式电感，并且在配合一块VT233TF芯片，作为显存部分的供电。VT233TF由VOLTERRA公司制造，此款芯片采用了CSP封装62Pin，开关频率1MHZ，能提供18A电流，为显存供电和超频打下强悍基础。
显示核心的供电部分，采用了较为复杂的设计，但设计风格还是趋向于简洁。我们看到整个供电部分由背面的一颗使用VT1165MF PWM芯片、两颗41pin CSP封装的VT1165SF芯片与VITEC 59P9852两相耦合电感组成。两颗VT1165SF芯片能够提供额定60A的电力供应，完全满足X1950Pro核心的超频需求。从整体成本上明显要高于同等级的N卡配置。
最后要说的是，整块卡采用了8层电路板的设计，再配合整体的供电设计，电源转换率达到了87%，增加电源的利用率，能够降低电源的需求，但是这样的改善还是非常有限的。至少我想说，用这点少数的元件，同样能够满足显卡的供电需求，这样的设计对于Sapphire来说还是非常值得赞扬的。
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