这就是Intel准备在2009-2010年间为32nm工艺投入的规模，而且只是在美国本土的。如果再算上此前的投资，到明年底总计将达到80亿美元左右。
晶体管制造层面看32nm工艺-1
这就是Intel准备在2009-2010年间为32nm工艺投入的规模，而且只是在美国本土的。如果再算上此前的投资，到明年底总计将达到80亿美元左右。在经济危机蔓延、各大企业纷纷亏损裁员的情况下，Intel的雄厚底蕴和实力尤为显眼。
陆续上马32nm工艺的Fab晶圆厂有四座：俄勒冈州的D1D已经开始试产，临近的D1C将在今年第四季度正式投产，亚利桑那州Fab 32和新墨西哥州Fab 11X会在2010年跟进。
接下来我们就从生产工艺和处理器规划两方面看看Intel的32nm会给我们带来什么惊喜。
第一部分：从晶体管制造层面看32nm工艺虽然Tick-Tock模式是最近几年才提出来的，但事实上从1989年开始，Intel的生产工艺就开始了两年升级一次的发展模式。2005年的P1264 65nm (Core)已经基本被淘汰，2007年的P1266 45nm (Penryn)早已全面普及，今年就轮到P1268 32nm (Westmere)了，之后就是2011年的P1270 22nm (IVY Bridge)和2013年的P1272 16nm。
另外Intel对SoC(片上系统)越来越重视，甚至为其准备了单独的制造工艺，在45nm时代内部编号P1266.8，已发布的Canmore CE 3100媒体处理器和下一代Moorestown Atom用的就是这种工艺。到了32nm和22nm时代，SoC工艺编号分别为P1269和P1271。
虽然硅半导体工艺极限问题已经谈论了很多年，但至少在Intel的路线图上，我们还看不到尽头。
到了65nm的时候，栅极介质的厚度已经只有1.2nm(大约相当于五个原子)，这时候Intel发现继续缩小的话就无法再控制漏电率了，于是将栅极材料从二氧化硅改成了基于铪的High-K型(具体构成属于商业机密)，厚度仅有1.0nm，同时栅极电极也换成了金属。这两项技术合起来通常被简写作“HK+MG”。
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