这就是Intel准备在2009-2010年间为32nm工艺投入的规模,而且只是在美国本土的。如果再算上此前的投资,到明年底总计将达到80亿美元左右。
晶体管制造层面看32nm工艺-2
下一步的32nm工艺会把High-K介质和金属栅极技术发展到第二代,还有第四代应变硅技术,可将晶体管体积缩小大约30%,栅极厚度也再次薄到0.9nm,特别是Intel还会在关键层上首次使用沉浸式光刻技术,类似AMD在当前45nm工艺上的应用。 Intel还声称,从45nm到32nm可带来超过22%的性能提升。
这22%的指标是哪儿来的?根据NMOS、PMOS晶体管泄漏电流和驱动电流的对比,32nm的能效相比45nm会有明显提高,要么能在同样的漏电率下提高晶体管速度(14-22%),要么能在同样的速度下降低漏电率(5-10倍)。
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